【摘 要】
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在La0 67Ca0 33 MnO3 中进行了掺Gd研究 ,结果发现 ,经 140 0℃烧结的样品 ,获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加 ,材料的相变温度逐渐下降 ,对应的峰值电阻率大幅度增加
【机 构】
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在La0 67Ca0 33 MnO3 中进行了掺Gd研究 ,结果发现 ,经 140 0℃烧结的样品 ,获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加 ,材料的相变温度逐渐下降 ,对应的峰值电阻率大幅度增加 ,居里温度逐渐下降 ,磁电阻比明显提高。掺入 11%的Gd后 ,可以使磁电阻比提高一个数量级。这些变化可以用晶格效应来解释。
Gd doped La0 67Ca0 33 MnO3 were studied and found that the sample sintered at 140 0 ℃, the best magnetoresistance effect was obtained. With the increase of Gd content, the phase transition temperature of the material gradually decreases, the corresponding peak resistivity increases greatly, the Curie temperature decreases gradually, and the magnetic resistance ratio increases obviously. After incorporating 11% Gd, the magnetoresistance ratio can be increased by an order of magnitude. These changes can be explained by the lattice effect.
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