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采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅.样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392 nm;当样品用电化学的方法腐蚀后,获得位于376 nm的紫外光发射,且发光强度得到极大提高.
磁控溅射碳化硅膜的制备及其光致发光特性
【摘 要】
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采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅.样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392 nm;当样品用电
【机 构】
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山东师范大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2004年6期
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