新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征

• 作 者: 陈莹 袁泽锐 方攀 谢婧 张羽 尹文龙 康彬
• 机 构: 中国工程物理研究院化工材料研究所,四川省新材料研究中心,中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2020年8期
• 关键词: 红外非线性光学材料 SrCdGeSe 4单晶 坩埚下降法 单晶生长 性质表征 infrared nonlinear optical materialSrCdGe
• 基金项目: 中国工程物理研究院院长基金(YZJJLX2019005)

锶镉锗硒(SrCdGeSe 4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe 4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe 4单晶,尺寸为∅27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe 4晶片,选取一片8×8×2 mm^3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8″,该