N^＋注入ZnO薄膜表面性质的变化

• 作 者: 王海燕 段启亮 陈泳生 靳瑞敏 杨仕娥 卢景霄
• 机 构: 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 2005年11期
• 关键词: 无机非金属材料 直流反应磁控溅射 N^+注入 P型掺杂 inorganic non-metallic materials DC reactive magnet

用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化.经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002).经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1 μm.N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型.