采用声光位移技术测量离子注入硅中的损伤深度剖面

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangshuai824

【摘要】

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采用声光位移技术测量离子注入硅中的损伤深度剖面＝Ｄａｍａｇｅｄｅｐｔｈｐｒｏｔｉｌｅｓｉｎｉｏｎ－ｉｍ－ｐｌａｎｔｅｄｓｉｌｂｏｎｂｙｔｈｅｐｈｏｔｏａｃｏｕｓｔｉｃｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔｔｅｃｈｎｌｑｕｅ［刊，英］／Ｈａｒａ，Ｔ，…∥Ｊｐｎ．Ｊ．... Acoustic and optical displacement measurement using ion implantation of silicon depth of damage profi

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

1994年02期

【关键词】

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深度剖面离子注入蒙特卡洛模拟卢瑟福背散射测量结果

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