对掺Mn的硫系非晶态半导体电导特性的研究

• 作 者: 陈光华 王印月 张南屏 张仿清 吴锦华
• 机 构: 兰州大学物理系,兰州大学物理系,兰州大学物理系,兰州大学物理系,兰州大学物理系,
• 出 处: 贵金属
• 发表日期: 1981年04期
• 关键词: 变程跳跃电导 非晶态半导体 化合物 下式 过渡元素 硫族 配价键 低温 原子 特性

本文主要研究了过渡元素Mn对硫系化合物As_(35)Te_(55)Si_(10)电导特性的影响,测量??的实验结果表明,不论掺杂与否,该材料在低温下均有变程跳跃电导,即在低温下电导满足下式:??

In this paper, the influence of transition element Mn on the electrical conductivity of As_ (35) Te_ (55) Si_ (10) is studied. The experimental results show that the material has the property of varying Cheng jump conductivity, that is, conductance at low temperature to meet the following formula: ??