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利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性，导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明；９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低，同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ。
导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应
【摘 要】
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利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性，导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明；９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低，同时，我
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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