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【摘 要】
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在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3&#
【机 构】
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长安大学电子与控制工程学院微纳电子研究所
【出 处】
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纳米科技
【发表日期】
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2015年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（60806043）,中央高校基本科研业务费专项资金项目（2013G3322010）
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