纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究

• 作 者: 杨世才 阿布都艾则孜·阿布来提 简基康 郑毓峰 孙
• 机 构: 新疆大学物理科学与技术学院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2010年1期
• 关键词: 氮化铝 磁控反应溅射 择优取向 AlN magnetron reactive sputtering preferred orientation
• 基金项目: 国家自然科学基金（No.10864004,No.50862008） 新疆大学博士启动基金（No.BS060110,No.BS080109）

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜。X射线衍射图谱表明：温度大于180℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜。衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善。1.5Pa的纯氮气气氛和Si（100）衬底是最佳择优生长条件。由紫外-可见光透射谱计算得到：在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV。原子力显微镜照片表明：在Si（100）衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙