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近年来，基于ZnO稀磁半导体在自旋电子器件方面的潜在应用价值，过渡金属掺杂的ZnO材料被广泛研究。但由于P型ZnO材料的制备非常困难，获得具有室温以上居里温度的Mn掺杂P型ZnO基稀磁半导体仍然是个难题。在N-In共掺杂成功实现ZnO薄膜P型掺杂的前期研究基础上，本研究采用超声喷雾热解（USP）法在Si基底上制备了Zn1-x MnxO系列薄膜样品。x射线衍射表明所有ZnO薄膜样品都具有纤锌矿结构，没有发现其他物相的衍射峰存在。薄膜形貌研究发现，样品中的颗粒分布均匀。磁性测量表明N-Mn-In掺杂的样品显示