多芯片封装256MSDRAM

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日立制作所已将作为笔记本PC和手提式信息设备主存储器应用的多芯片封装256M同步DRAM(SDRAM)“HM5225645FEP-B60(×64位结构)”、“HM5225325FEP-B60(×32位结构)”在工业领域实现了产品化,已开始出售样品。由于采用一个衬底上装入4枚芯片的COB技术,所以在一个管壳中实现了多位结构和大容量二者并存的优点。在64位结构产品中将使用4个×16位的64M位SDRAM,在×32位结构产品中使用4个×8位的64M位SDRAM。据此,在64位/32位的系统中以本产品一个就可实现32M位的存储容量。 Hitachi has introduced a multi-chip package 256M Synchronous DRAM (SDRAM) “HM5225645FEP-B60 (× 64-bit structure)”, “HM5225325FEP-B60 (× 32-bit structure)” as a main memory application for notebook PCs and portable information devices ) “” In the industrial field to achieve the product, has begun to sell the sample. Due to the COB technology with four chips mounted on a single substrate, the advantages of both multi-bit structure and large capacity are realized in one package. Four x 16-bit 64M-bit SDRAMs will be used in 64-bit fabric products and four x 8-bit 64M-bit SDRAMs will be used in x32-bit fabric products. Accordingly, the 64-bit / 32-bit system to achieve a 32M-bit storage capacity of the product.
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