GaAsMIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质

• 作 者: 高娴 唐吉龙 房丹 王双鹏 赵海峰 魏志鹏 方铉 王晓华 徐
• 机 构: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,中国科学院长春光机所发光学及应用国家重点实验室,哈尔滨师范大学
• 出 处: 纳米科技
• 发表日期: 2015年3期
• 关键词: Be掺杂GaAs GaAsMIS结构 I-V 肖特基势垒高度 理想因子

使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAs Schottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD） 插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.