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测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T＝77K时的光电流谱，发现在波数～↑υ=1589cm^-1存在一个强电流峰，理论分析认为，该电流峰与超晶格界面的电子反射有关，据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致。
超晶格界面的电子反射及引起的光电流特性
【摘 要】
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测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T＝77K时的光电流谱，发现在波数～↑υ=1589cm^-1存在一个强电流峰，理论分析认为，该电流峰与超晶格界面的电子反射有关，据此算出的电流峰位置与实验观测结
【机 构】
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山东大学光电材料与器材研究所,中国科学院物理研究所
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2001年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（No．69976016）,,山东省自然科学基金资助课题（No．Y98G11107）．
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