【摘 要】
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通过磁控溅射制备了AlNi纳米合金薄膜,并利用自制的直排四探针低温测量系统测量了薄膜电阻率随温度（8~300K）的变化规律。结果表明：由于电子-声子和电子-磁子相互作用,纯Al和Ni纳
【机 构】
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西南科技大学材料科学与工程学院,中国工程物理研究院激光聚变研究中心
【基金项目】
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西南科技大学研究生创新基金资助项目（17ycx012）, 国家自然科学基金资助项目（11674291）
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通过磁控溅射制备了AlNi纳米合金薄膜,并利用自制的直排四探针低温测量系统测量了薄膜电阻率随温度（8~300K）的变化规律。结果表明：由于电子-声子和电子-磁子相互作用,纯Al和Ni纳米晶薄膜的电阻率分别呈现出正的电阻率温度系数,且电子-磁子散射对电阻率的贡献主要体现在高温区（80～300K）,在低温区（〈40K）电子-晶界/表面散射对电阻率的贡献占主导地位。Ni原子掺入量的增加,诱导了纳米晶薄膜无序程度的增强,从而使Al1-xNix纳米合金薄膜逐渐由晶体的金属特性过渡到半导体特性,导致其呈现出负的电阻率
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