片状立方氮化硼合成及其导电特性研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gf2516
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立方氮化硼是典型的ⅢⅤ族氮化物。它不仅具有很高的硬度,是加工铁族及其合金的最有效的工具材料,而且它具有很宽的直接能隙,特别适合作高温半导体器件和短波长固体器件而备受青睐。1961年Wentorf在合成体系中加入重量为0.01%~1%的Be(以金属或盐类形式)在高压下合成出p型材料,室温下晶体的电阻率为10Ω·cm。估算出其激活能为0.19~0.23eV。由于晶体较小及生长不均匀,未能测定Hal效应及吸收光谱。与此同时,Wentorf又得到了具有n型特性的立方氮化硼半导体,典型值为10~10Ω&#
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