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金刚石是非常重要的宽禁带半导体材料，n-型氧化锌与p-型金刚石的结合成为半导体研究的热点。该研究实现了金刚石薄膜上生长六角纤锌矿结构氧化锌（ZnO）微米／纳米结构。生长初期或ZnO饱和蒸气压较低时，ZnO晶粒多沉积在金刚石薄膜的晶界和棱边处，随着沉积时间的增加或反应气氛中气态ZnO浓度的增加，会有大量微米／纳米结构的ZnO生成，并覆盖整个金刚石薄膜表面。对ZnO在金刚石薄膜表面生长机制及反应气氛对金刚石的钝化作用进行了分析。