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采用变分法与自洽计算相结合的方法讨论了在电子-空穴气体屏蔽影响下应变闪锌矿（001）取向GaN／AlxGa1-xN量子阱中激子结合能的压力效应．结果表明，若考虑压力对双轴及单轴应变的调制以及禁带宽度、有效质量和介电常数等参数的影响，激子结合能随压力的增大近似线性增加．此外，由简化相干近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中铝组分对激子结合能的影响．结果表明，在固定的压力下当铝组分增加时激子结合能会逐渐增加；且压力较大时结合能随组分的增加更加显著．