【摘 要】
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本文讨论了HgCdTe晶体缺陷的两种快速X射线形貌检测方法:使用X射线像眼的反射形貌法和反射Laue形貌法。在Laue形貌相机上用X射线像眼,经数分钟的曝光时间可拍摄分辨率约50μm
【机 构】
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昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所 昆明 650223,昆明 650223,昆明 650223
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本文讨论了HgCdTe晶体缺陷的两种快速X射线形貌检测方法:使用X射线像眼的反射形貌法和反射Laue形貌法。在Laue形貌相机上用X射线像眼,经数分钟的曝光时间可拍摄分辨率约50μm的HgCdTe样品的反射扫描形貌相,而用特制的Laue相机可用20min的曝光时间拍得分辨率约60μm的反射形貌相。
This paper discusses two rapid X-ray topography detection methods for HgCdTe crystal defects: the X-ray reflection topography and the reflection Laue topography. The X-ray image of an eye on a Laue topography camera was used to capture the reflection scan morphology of a HgCdTe sample at a resolution of about 50 μm over a few minutes of exposure time and about 20 minutes of exposure time on a custom Laue camera 60μm reflection topography.
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