论文部分内容阅读
文章针对20/14nm节点以下三维封装高密度（104/mm^2）、高深宽比（≥10）、小口径（≤5μm）垂直互连微通道的成形制造,解决复杂电场下离子的选择输运与界面快速沉积生长机制、微通道无缺陷快速填充原理、多场耦合作用下时变填充过程建模等基本科学问题,探索微通孔电化学沉积、多介质薄膜的离子增强原子沉积.