【摘 要】
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提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普
【机 构】
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西安交通大学电子科学与技术系,西安交通大学电子科学与技术系,西安交通大学电子科学与技术系,西安交通大学电子科学与技术系 西安 710049,西安 710049,西安 710049,西安 710049
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提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec .
A novel fully depleted dual-gate MOSFET with hetero-gate and LDD structure is proposed. The heterogenous gate is composed of a main gate and two side gates that partition the channel surface barrier of the device. By using the Tsuprem-4 process simulation And Medici device simulation shows that the device achieves better on / off current ratio and subthreshold slope than the conventional dual-gate fully depleted SOI. In the 0.18μm process, the on / off current ratio About 1010, the sub-threshold slope is close to 60mV / dec.
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