一族Nd：YxGd1-xVO4混晶性质比较及其调Q性能研究

• 作 者: 秦连杰 姜付义 孟宪林 徐惠忠 侯学元 祝俐 刘
• 机 构: 烟台大学环境与材料工程学院,山东大学
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2004年5期
• 关键词: 掺钕钒酸钇 掺钕钒酸钆 混晶 晶体生长 调Q性能 激光晶体 Czoehralski法 <Keyword>Nd:Y_xGd_(1-x)VO_4crys

Czochralski法成功生长了一系列不同Gd/Y的低掺杂Nd:YxGd1-xVO4混晶,并对它们的一些基本性质进行了比较,发现随着Gd含量的增加,晶体晶胞a, c轴常数呈线性增长,故YVO4 和GdVO4晶体可以实现无限互溶.少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大,并有效地增强了其荧光强度.我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr4+:YAG调Q激光性能也进行了研究,发现Nd:YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能.