TFT-LCD制程中ITO残留的产生与控制

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【摘要】

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铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)作为氢化非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(hydrogenatedamorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display,a-Si∶H TFT-LCD)最

【作者】

：

毛联波向贤明张俊瑞张少楠高刚 MA Yan-yan

【机构】

：

昆山龙腾光电有限公司,江苏,215301

【出处】

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现代显示

【发表日期】

：

2007年11期

【关键词】

：

薄膜晶体管液晶显示器氧化铟锡 ITO残留多晶ITO

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铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)作为氢化非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(hydrogenatedamorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display,a-Si∶H TFT-LCD)最常用的透明导电材料,其图形与厚度会直接影响到器件的相关性能.本文主要阐述了TFT-LCD生产中由于ITO多晶化所造成的残留问题,并根据产线的情况对这些影响进行了分析,对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案.

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