Cr，Mo对Cu／Si（100）薄膜体系结构、电阻率及扩散性能的影响

• 作 者: 王新建 刘嘉聪 董显平 姜传海 洪波
• 机 构: 上海交通大学材料科学与工程学院
• 出 处: 上海交通大学学报
• 发表日期: 2007年11期
• 关键词: 薄膜 磁控溅射 电阻率 织构 互扩散 films magnetron sputtering electrical resistivity texture int

利用简易合金靶材在Si（100）基底单靶磁控溅射制备Cu（Cr）、Gu（Mo）薄膜．研究薄膜在300～500℃退火前后的结构、电学及扩散性能的变化．结果表明，Cr、MO的加入增强了Cu薄膜的（111）织构，且溅射态薄膜电阻率显著增加．真空退火后，Cu（200）和Cu（220）衍射峰增强，但薄膜保持较强的（111）织构．Cu（1．19％Cr）薄膜电阻率随温度升高先减小后增加，400℃退火后电阻率最小，为2．76μΩ·cm，接近纯Cu薄膜（2．55μΩ·cm）；而Cu（1．28％Mo）薄膜