【摘 要】
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以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌（ZnPc）作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷（OTS,C18H37SiCl3）/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管（OTFT）。实验表明,采用OTS可以有效地降低Si
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以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌（ZnPc）作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷（OTS,C18H37SiCl3）/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管（OTFT）。实验表明,采用OTS可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度,器件的场效应迁移率提高了3.5倍,漏电流从10-9A降到10-10A,阈值电压降低了5 V,开关电流比从103增加到104。结果显示,具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进OTFT的性能。
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