【摘 要】
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磁敏二极管是继磁阻元件、霍尔元件之后出现的新型结型磁电转换器件.一九六九年日本“索尼”(Sony)公司研制了锗磁敏二极管(Ge SMD);一九七一年又用高阻外延工艺研制了硅磁敏
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磁敏二极管是继磁阻元件、霍尔元件之后出现的新型结型磁电转换器件.一九六九年日本“索尼”(Sony)公司研制了锗磁敏二极管(Ge SMD);一九七一年又用高阻外延工艺研制了硅磁敏二极管(SiSMD)本文将介绍用反外延工艺方法,在国产高阻硅单晶衬底上成功地研制了与硅SMD具有相同性能的硅磁敏二极管的工作原理和特性.
Magnetoresistor is a new type of junction-type magnetoelectric conversion device that follows the magnetoresistive element and Hall element. In 1969, Japan company “Sony” developed Ge Geomagnetic Sensitive Diode (Ge SMD) One year and high impedance epitaxial process developed silicon magnetic diode (SiSMD) This article will introduce the use of anti-epitaxial process method, the domestic high-resistance silicon single crystal substrate successfully developed with silicon SMD has the same performance of silicon magnetosensitive Diode works and features.
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