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系统地研究了小注入电流（＜4mA）下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光（EL）光谱，发现在注入电流1mA下的峰值波长（peakwavelength）和半高宽（FWHM）随老化时间增加而减小，变化过程分两个阶段：前期（＜100h）减小速度较快，而后逐渐变缓，呈现出与LEDs的发光光功率一致的变化规律，说明LEDs的等效极化电场在老化过程中减弱，这一变化和量子阱内缺陷的增加有明确的关系。通过电学特性测量发现同一结电压（Vj＝1.8V）下的结电容