我国第一台激光分子束外延设备研制成功

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我国科研人员自行设计、加L的我国第一台激光分子束外延设备已在中国科学院物理研究所建成。传统的分子速外延技术利用热源加热分子束源,从而外延生长出超薄膜材料,这种方法的缺点是很难实现高熔点材料的生长;普通的激光沉淀技术则因缺乏实时检测设备,难于生长超薄膜。为生 Our researchers design their own, plus L’s first laser molecular beam epitaxy equipment in the Chinese Academy of Sciences Institute of Physics built. The traditional molecular rapid epitaxy technology utilizes the heat source to heat the molecular beam source to epitaxially grow the ultra-thin film material. The disadvantage of this method is that it is hard to realize the growth of the high-melting material. Ordinary laser deposition technology is difficult to grow due to the lack of real-time detection equipment Ultra-thin film. For a living
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