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鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文提出了双汞探针C-V法。文章中阐述了这种方法的测试原理和测试可行性分析。对各种硅材料样片大量测试结果表明:这种方法即方便又准确,测试结果的重复性相当好。
双汞探针C—V法测试硅材料杂质浓度分布
【摘 要】
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鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文提出了双汞探针C-V法。文章中阐述了这种方法
【机 构】
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辽宁大学物理系,辽宁大学物理系
【出 处】
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辽宁大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1992年1期
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