【摘 要】
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提出了一种新颖的高速ＣＭＯＳ电压比较器的电路结构，它由一个差分输入级、两级串接的ＣＭＯＳ锁存电路和两个ＣＭＯＳ倒相器所组成，并且在外部的三相不交叠时钟信号控制下进行流水线操作。整个电路根据
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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提出了一种新颖的高速ＣＭＯＳ电压比较器的电路结构，它由一个差分输入级、两级串接的ＣＭＯＳ锁存电路和两个ＣＭＯＳ倒相器所组成，并且在外部的三相不交叠时钟信号控制下进行流水线操作。整个电路根据标准的双层铝布线１．５μｍ、ｎ阱工艺设计规则和工艺参数进行设计，版图面积为１００μｍ×８０μｍ。整个电路在５Ｖ单电源供电条件下进行具有８位精度的电压比较工作，在以最大采样频率（２００ＭＨｚ）工作时，功耗仅为１．２ｍＷ
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