Effects of Growth Conditions on the Microstructure Characteristics of CdS Thin Films by AP-MOCVD

• 作 者: Dong Dong Xiao-Bo Liu Jiang-Bo
• 机 构: StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices
• 出 处: 电子科技学刊：英文版
• 发表日期: 2010年2期
• 关键词: 硫化镉薄膜 MOCVD 金属有机化学气相沉积 生育条件 结构特性 表面粗糙度 AP 作者 Index Terms---Atmospheric pressure
• 基金项目: This work was supported by the Project of Key Technologies Research ＆ Development Programme of Chengdu under Grant No. 06GGYB512GX-030.

镉硫化物( CdS )的生长玻璃底层上的薄电影被气压执行用 Cd ( S2CNEt2 )的金属器官的化学蒸汽免职( AP-MOCVD ) 2 是被原子力量显微镜( AFM )作为在扔的 CdS 薄电影的表面形态学的单个 precursor.Changes 调查底层温度( T )的功能，蒸发的温度(电视)，和 Ar 流动 rate.With 电视的增加， CdS 薄电影与好谷物从金字塔形的结构演变到圆柱的结构机智