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本文报道了采用Ａｕ／ＮｉＣｒ在ｎ型６Ｈ＝ＳｉＣ体上制备欧姆接触的实验结果，依次蒸发ＮｉＣｒ合金（重量百分比为８０％Ｎ：２０％Ｃｒ）和金层，高温退火后形成欧姆接触，用改进的四探针法测得最小比接触电阻ｐｃ为８．４×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，达到了应用的要求。
n型6H—SiC体材料欧姆接触的制备
【摘 要】
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本文报道了采用Ａｕ／ＮｉＣｒ在ｎ型６Ｈ＝ＳｉＣ体上制备欧姆接触的实验结果，依次蒸发ＮｉＣｒ合金（重量百分比为８０％Ｎ：２０％Ｃｒ）和金层，高温退火后形成欧姆接触，用改进的四探针法测得最小比接触电阻ｐｃ为８．４×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，达到了应用的要求。
【机 构】
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西安交通大学微电子工程系!西安,西安电子科技大学微电子所!西安
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年9期
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