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利用不同温度基底溅射沉积Fe膜并硫化合成FeS2薄膜的方法，研究了先驱体Fe膜结晶程度对FeS2薄膜组织结构和电学性能的影响．结果表明，较高的基底温度能够产生较大尺寸的Fe膜晶粒，400℃硫化反应可使不同结晶程度的Fe转变为晶粒细小的FeS2．随先驱体Fe膜基底温度升高，合成后的Fe＆膜体几何连续程度提高，载流子浓度下降及Hall迁移率上升．制备先驱Fe膜基底温度为300-400℃时的FeS2薄膜电阻率出现极大值．Fe膜基底温度变化改变了先驱体结晶程度，导致了FeS2薄膜中晶体缺陷行为及相变应力作用程度的