以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性

• 作 者: 许小亮 杨晓杰 谢家纯 徐传明 徐军 刘洪图 施
• 机 构: 中国科学院结构分析重点实验室,中国科学技术大学,中国科学技术大学
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2004年3期
• 关键词: 氧化锌 P-N结 硅 电流-电压特性 ZnO pn junction silicon IV property
• 基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划)，安徽省自然科学基金

分别在n型半绝缘Si、弱n(n-)以及强n(n+)型Si片(100)面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p-n结.其中在生长p型ZnO时,反应室中通以过量的氧.对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量,在34.1°附近得到了0.3°左右半峰全宽的ZnO(002)衍射峰.ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构.阴极射线荧光的测量显示了位于390nm的紫外特征峰.用I-V特性仪测量了上述ZnO p-n结原型器件的I-V电学输运曲