4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

• 作 者: 蔡加法 陈厦平 吴少雄 吴正云
• 机 构: 厦门大学物理系
• 出 处: 量子电子学报
• 发表日期: 2016年6期
• 关键词: 光电子学 4H-SIC p-i-n紫外光电探测器 电容-电压 深能级缺陷 optoelectronics 4H-SiC p-i-n ultraviolet

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压（C—V）特性随温度和偏置电压的变化情况，观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明：由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态，其高频（1MHz）C—V特性几乎不随反向偏压变化。随着温度升高，被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大；探测器的低频（100kHz）结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性，原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化，从而对结电容产生影响。