【摘 要】
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设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,
【机 构】
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东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术
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设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。
A novel HV NMOS (HV NMOS) structure is designed to be fully compatible with the standard low-voltage CMOS process of bulk silicon. Based on TSUPREM-4 process simulation, the specific process flow and the best process The characteristics of the structure, such as current-voltage and breakdown, were simulated by MEDICI. The breakdown voltage was increased by 37.5% compared with the conventional HV-NMOS. At the same time, the effect of concave source structure, p-well, buffer layer and field plate on the HV-NMOS operating characteristics is analyzed. Finally, the flowing water test results of HV-NMOS are given.
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