Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容-压敏双功能陶瓷的影响

• 作 者: 胡连峰 唐超群 周文斌 薛霞 黄金球 马新国
• 机 构: 华中科技大学物理系
• 出 处: 材料科学与工程学报
• 发表日期: 2006年6期
• 关键词: TIO2 Bi2O3掺杂 电容-压敏 非线性 TiO2 doping of Bi2O3 capacitor-varistor nonlinearity

研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度，相对介电常数，非线性，压敏电压的影响。实验发现，烧结温度为1200℃，Bi2O3掺杂量为0．2％时，非线性系数α高达6．6148；Bi2O3掺杂量为1．0％时，相对介电常数εr高达1．3733×10^4。烧结温度在1450℃时，压敏电压最低，Eb=1．979V·mm^-1。