【摘 要】
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a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着十分重要的应用前景。对于一个高效率叠层太
【机 构】
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a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着十分重要的应用前景。对于一个高效率叠层太阳电池来说,其关键之一是要获得一种具有高光敏性且 Eopt 小于1.5eV 的窄带隙底部电池材料。目前人们是把 Ge 或 Sn 掺入 a-si∶H 中,获得了窄带隙材料 a Si_(1-x)
The a-Ge_ (1-x) C_x: H film is also a very important type of amorphous semiconductor thin film photovoltaic material, and its bandgap width (Eopt) is modulatable (from 0.85eV to 2.5eV) and is therefore very important The application prospects. For a high efficiency laminated solar cell, one of the keys is to obtain a narrow band gap bottom cell material with high photosensitivity and an Eopt of less than 1.5 eV. At present, people are incorporating Ge or Sn into a-si: H to obtain a Si_ (1-x)
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