反应烧结制备Ti_3SiC_2材料

• 作 者: 王超 吕振林 周永欣 张姗姗
• 机 构: 西安理工大学材料科学与工程学院
• 出 处: 机械工程材料
• 发表日期: 2008年5期
• 关键词: TI3SIC2 反应烧结 显微结构 titanium silicon carbide reaction sintering microstructure
• 基金项目: 陕西省自然科学基金资助项目(2007E104)

分别以粉末钛、硅、石墨和钛、碳化硅、石墨为原料,采用反应烧结工艺制备Ti3SiC2材料。结果表明:当以钛、硅、石墨单质粉料为原料时,在1 200~1 400℃温度范围内能够合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料,且其纯度随着硅含量的增加而提高;当原料摩尔比为3∶1.3∶2和3∶1.4∶2时,该材料中只有Ti3SiC2相而无其他相存在;而以钛、碳化硅、石墨粉末为原料时,在1 200~1 400℃温度范围内很难合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料。