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采用电泳沉积法在石墨基体上制备厚度可控的Si涂层，考察了电泳沉积参数（电压、沉积时间、固含量及添加剂量）对涂层沉积量的影响。所制备的Si涂层通过烧结与石墨基体发生在位反应形成SiC涂层。用SEM观察涂层烧结前后的形貌，发现烧结后Si渗入基体内部。孔径分布数据表明所形成的SiC涂层导致石墨孔径变小。实验提供了一种制备SiC涂层的新方法，电泳沉积一烧结可用于C／SiC复合材料的制备。