浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜

• 作 者: 邱继军 靳正国 石勇 武卫兵 程志捷
• 机 构: 天津大学材料学院
• 出 处: 硅酸盐学报
• 发表日期: 2005年1期
• 关键词: 铜铟硫薄膜 浸渍离子层气相反应 半导体 CompositionCopper compoundsElectric propertiesIndium compoun

以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl3为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜.研究混合前驱体溶液中Cu2+与In3+的离子浓度比[Cu2+]/[In3+]对薄膜晶体结构、化学组成、表面形貌、光学和电学性能的影响.当溶液中[Cu2+][In3+]在0.75～2.00范围内均可形成无杂质相、富S型立方闪锌矿结构的CuInS2薄膜.当[Cu2+]/[In3+]=1. 50时,CuInS2薄膜接近其理想的化学计量组成,薄膜表面均匀性随着[Cu2+]/[In3+]的增加而降低.CuI