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设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器．通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度，使制作出的调制器有良好的综合性能．调制器调制深度为91％，功耗为0．35W，调制速度约为27μs．减小多模干涉耦合器的设计误差和提高刻蚀均匀性可以改善调制器的性能．
SOI热光调制器
【摘 要】
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设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器．通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度，使制作出的调制器有良好的综合性能．调制器调制深度为91％，功耗为0．35W，调制速度约为27μs．减小
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年10期
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