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Vishay Intertechnology。Inc．推出新型20V p通道TrenchFET功率MOS—FET—Vishay Siliconix Si8445DB．该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。
Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET
【摘 要】
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Vishay Intertechnology。Inc．推出新型20V p通道TrenchFET功率MOS—FET—Vishay Siliconix Si8445DB．该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低
【出 处】
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电子元器件应用
【发表日期】
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2008年8期
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