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我国第一片20cm键合SOI晶片研制成功
我国第一片20cm键合SOI晶片研制成功
来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sep
【摘 要】
:
据报道.中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王曦领导的SOI研究小组.在上海新傲科技有限公司的研发平台上.通过技术创新.制备出我国第一片20cm(即8英寸)键合绝缘体上硅(S01)
【机 构】
:
《电子产品可靠性与环境试验》
【出 处】
:
电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
:
2008年6期
【关键词】
:
SOI晶片
键合
制备技术
绝缘体上硅
中国科学院
技术创新
研发平台
信息技术
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据报道.中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王曦领导的SOI研究小组.在上海新傲科技有限公司的研发平台上.通过技术创新.制备出我国第一片20cm(即8英寸)键合绝缘体上硅(S01)晶片,实现了SOI晶片制备技术的重要突破。
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