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介绍了一种低相位噪声2^N分频器的设计。该电路采用0．35μm BiCMOS SiGe工艺制作。1kHz频偏下的相位噪声为-150dBc／Hz，大大低于传统的分频器；在-55～125℃温度范围内，电路的工作频带为20MHz～2．4GHz，功耗电流约40mA。数据输入端S0、S1、S2控制电路的分频比在2^1～2^8间变化，数据输入端与TTL／CMOS电平兼容。