低温热氧化处理温度与时间对氧化钒薄膜性能的影响

• 作 者: 梁继然 胡明 刘志刚
• 机 构: 天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2009年1期
• 关键词: 相变氧化钒薄膜 低温热处理 直流对靶磁控溅射 phase transition vanadium oxides thin filmslow temperatur
• 基金项目: 天津市自然科学基金面上资助项目（043600811）,天津市应用基础及前沿技术研究计划重点资助项目（08JCZDJC17500）

采用直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜再附加热氧化处理的方式进行金属－半导体相变特性氧化钒薄膜的制备，研究了低热处理温度下热处理温度与时间对氧化钒薄膜组分、晶体结构和相变性能的影响。新制备的氧化钒薄膜为V2O3和VO的混合相。经300℃／1h热处理后，薄膜内出现单斜结构VO2，薄膜具有相变特性；保持热处理时间不变，升高热处理温度至360℃，薄膜表面变得致密，致密的薄膜表面阻碍了氧气与薄膜内部V2O3和VO的反应，VO2成分含量与300℃／1h处理时的含量接近；增加热处理温度并延长热处理时间，如热处理条件为320℃