【摘 要】
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本义研究了Al(Ⅲ)、Ga(Ⅲ)、In(Ⅲ)、Si(Ⅳ) 、Ge(Ⅳ )、Sn(Ⅳ)、Bo(Ⅲ)多元素的四苯基卟啉络合物的合成与光电效应。进一步完善和改进了Si(Ⅳ)、Ge(Ⅳ)、Bi(Ⅲ)四苯基卟啉络
【机 构】
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厦门大学化学系,厦门大学化学系,厦门大学化学系
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本义研究了Al(Ⅲ)、Ga(Ⅲ)、In(Ⅲ)、Si(Ⅳ) 、Ge(Ⅳ )、Sn(Ⅳ)、Bo(Ⅲ)多元素的四苯基卟啉络合物的合成与光电效应。进一步完善和改进了Si(Ⅳ)、Ge(Ⅳ)、Bi(Ⅲ)四苯基卟啉络合物的合成方法。光电效应结果表明:这些主族元素的卟啉络合物比某些过渡金属卟啉具有较大的光生电压和光生电流。
The synthesis of tetraphenylporphyrin complexes of Al (Ⅲ), Ga (Ⅲ), In (Ⅲ), Si (Ⅳ), Ge (Ⅳ), Sn (Ⅳ) With the photoelectric effect. The synthesis of Si (Ⅳ), Ge (Ⅳ) and Bi (Ⅲ) tetraphenylporphyrin complexes was further improved and improved. The results of the photoelectric effect show that the porphyrin complexes of these main group elements have larger photo-generated voltage and photo-generated current than some transition metal porphyrins.
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