结构缺陷对HgI2晶体光吸收的影响

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为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱。结果表明,波长约为580nm时,存在着本征吸收限;波长大于580nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000~2500nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.79±0.01eV,0.72eV,0.57±0.01eV和0.53eV。中红外透过曲线随波长增加而增大,透过率为39%~68%。通过M/HgI2的I~t曲线,采用简单能级模型进一步确认了生长的HgI
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