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用磁控溅射法制备了MnxGe1-x（x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29）系列薄膜样品。X射线衍射（XRD）表明所有样品为Ge立方体结构，没有发现第二相存在。晶格常数随Mn摩尔浓度增加而增加，符合Vegard定律。磁力显微镜（MFM）测量表明没有明显的磁畴结构出现，原子力显微镜（AFM）测量表明样品表面颗粒均匀并且呈圆柱状生长。X射线光电谱测量表明Mn原子并不是处于单一的正二价态。电子输运特性测量表明室温电阻率随Mn摩尔浓度增加而增加，Mn原子处于深的受主态，