【摘 要】
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1988年第一期离子镀的现状………………………………………………………………陈国平(1)硅集成系统设计导论………………………………………………………童勤义(8)1987年南京
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1988年第一期离子镀的现状………………………………………………………………陈国平(1)硅集成系统设计导论………………………………………………………童勤义(8)1987年南京工学院电子工程系、电子学研究所、微电子中;C人员在国内外学术千物上发表的论文摘要…··’…’·’
1988 first ion plating status ........................................................................ Chen Guoping (1) introduction of silicon integrated system design ........................ ....................................... Tong Qinyi (8) 1987 Nanjing Institute of Technology Department of Electronic Engineering, Institute of Electronics, Microelectronics; C personnel at home and abroad to learn thousands of articles published Abstract ... · ’...’ · ’
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