【摘 要】
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提出了一种用于液体中汞离子检测的石墨烯场效应晶体管（graphene field effect transistor,GFET）型适体传感器,其中GFET采用丝网印刷技术制备,其栅极表面采用共价键交联技术固
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61371028）, 天津市自然科学基金资助项目（15JCTPJC63900,15ZCZDSF00060）
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提出了一种用于液体中汞离子检测的石墨烯场效应晶体管（graphene field effect transistor,GFET）型适体传感器,其中GFET采用丝网印刷技术制备,其栅极表面采用共价键交联技术固定汞离子适体探针。使用安捷伦B2923A对制备GFET型汞离子适体传感器进行实验测试,实验结果显示当汞离子浓度从0.1nmol/L至4 nmol/L变化时,在固定工作条件下,GFET输出电流变化曲线随被测汞离子浓度增加而减小,当汞离子浓度达到1 nmol/L时输出电流达到饱和;在汞离子浓度为0.1~1
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